Тензоопір багатодолинних напівпровідників n-Si та n-Ge у широкому інтервалі концентрацій

Гайдар, Г. П.; Баранський, П. І.; Коломоєць, В. В.


	Наукова періодика України		Фізика і хімія твердого тіла

Гайдар Г. П.
Тензоопір багатодолинних напівпровідників n-Si та n-Ge у широкому інтервалі концентрацій / Г. П. Гайдар, П. І. Баранський, В. В. Коломоєць // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15, № 1. - С. 58-62. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2014_15_1_10

За температури Т = 77,4 K досліджено тензоопір монокристалів n-Si і n-Ge в широкому інтервалі концентрацій <$E 10 sup 14~symbol Г~n sub e~symbol Г~2~cdot~10 sup 19> см<^>-3 і механічних напружень <$E 0~symbol Г~x~symbol Г~1,5> ГПа та обговорено деякі його особливості, що проявляються на межі виродження електронного газу в цих кристалах. Наведено фізичне обгрунтування одержаних результатів.

Повний текст PDF - 177.875 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Гайдар Г.

Баранський П.

Коломоєць В.

Бібліографічний опис для цитування:

Гайдар Г. П. Тензоопір багатодолинних напівпровідників n-Si та n-Ge у широкому інтервалі концентрацій / Г. П. Гайдар, П. І. Баранський, В. В. Коломоєць // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15, № 1. - С. 58-62. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2014_15_1_10.

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

Гайдар Галина Петрівна (фізико-математичні науки)

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача