За допомогою методу рентгенівської фотоелектронної спектроскопії досліджено структуру ближнього порядку приповерхневих наношарів тонких плівок a-As₄₀Se₆₀ за нормальних умов та її зміни під дією лазерного опромінення з енергією фотонів, близькою до ширини забороненої зони. Проаналізовано форму та енергетичне положення фотоемісійних піків As 3d і Se 3d аморфних та опромінених лазером плівкок a-As₄₀Se₆₀. Виявлено й описано відмінності у інтенсивності компонент піків, стимульовані лазерним опроміненням. Розраховано відносні вклади атомів As і Se в As 3d та Se 3d спектри, їх структурну природу й обчислено композицію поверхневих наношарів. Запропоновано атомарну модель, що описує стимульовані процеси самоорганізації в поверхневих наношарах плівок As₄₀Se₆₀.

  Повний текст PDF - 198.366 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"