Charge Carrier Transport of Polysilicon in SOI-Structures at Low Temperatures

Druzhinin, А. A.; Kogut, І. Т.; Khoverko, Yu. N.; Vuitsyk, А. N.


	Наукова періодика України		Фізика і хімія твердого тіла

Druzhinin А. A.
Charge Carrier Transport of Polysilicon in SOI-Structures at Low Temperatures / А. A. Druzhinin, І. Т. Kogut, Yu. N. Khoverko, А. N. Vuitsyk // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14, № 3. - С. 662-666. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2013_14_3_38

The studies of temperature dependence of conductivity and magnetoresistance of SOI-structures with polysilicon resistors with carrier concentration 2,4 x 10¹⁸ сm^-3 before recrystallization in temperature range 4,2 - 300 K are presented. The dimensions of polysilicon resistor in SOI-structure are 80 x 8 x 0,5 mum.

Повний текст PDF - 259.319 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

Druzhinin А. A. Charge Carrier Transport of Polysilicon in SOI-Structures at Low Temperatures / А. A. Druzhinin, І. Т. Kogut, Yu. N. Khoverko, А. N. Vuitsyk // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14, № 3. - С. 662-666. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2013_14_3_38.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача