Проведено розрахунок густини електронних станів аморфної плівки дисиліциду молібдену. Для цього використано формули, одержані на базі теорії Нобелівського Лауреата Н. Мотта та Е. Девіса. Встановлено, що електронні стани у вершині валентної зони даного матеріалу обумовлені d-електронами молібдену, p-електронами кремнію та p-електронами молібдену.Розраховано густину електронних станів аморфної плівки силіциду нікелю. Для цього використано формули, одержані на базі теорії Нобелівського Лауреата Н. Мотта та Е. Девіса. Встановлено, що електронні стани в вершині валентної зони даного матеріалу обумовлені d-електронами нікелю, p-електронами кремнію та s-електронами нікелю.

  Повний текст PDF - 100.404 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"