Досліджено спектри наведеного поглинання, іонні термоструми та термоіндуковані перетворення центрів забарвлення в кристалах CaF2-Na і CaF2-Li, опромінених рентгенівськими променями. Встановлено, що структура центрів забарвлення в кристалах флюоритів залежить від температури опромінення кристала. Якщо кристал опромінювати за <$E T~<<~200> K, то в ньому генеруються (FA-VKD), а за <$E T~>>~250> K - (<$E roman {M sub A sup + - V sub KA}>) - комплементарні пари центрів забарвлення. Термоактиваційні перетворення центрів забарвлення відбуваються в області температур 210 - 230 K і обумовлені термоактиваційним відходом аніонної вакансії від діркового центра (<$E roman {V sub KD~symbol О~V sub KA~+~V sub A sup +}>) з наступним захопленням її FA-центром (<$E roman {V sub A sup +~+~F sub A~symbol О~M sub A sup +}>). Показано, що радіаційну чутливість кристалів флюоритів визначають концентрація легуючих домішок і температура, за якої опромінюється кристал.Розглянуто можливість збереження FA-центрів забарвлення в кристалах <$E roman {SrCl sub 2~-~Me sup +}> за температур, вищих за 100 К.В одновимірній моделі іонного кристала розраховано параметри радіаційної чутливості кристалів флюоритів, легованих лужними металлами: w1 - імовірність утворення центрів забарвлення в гратці кристала; w2 - імовірність висвітлювальної дії радіації. Показано, що гранична концентрація центрів забарвлення в кристалі за низьких температур (<$E T~<<~200> K) <$E roman {C sub 1~=~1 "/" 2~cdot~w sub 1 "/" (w sub 1~+~w sub 2}>), а за температур <$E T~>>~250> K <$E roman {C sub 2~=~1 "/" 4~cdot~C}>, де C - концентрація домішки в кристалі. Встановлено залежність концентрації центрів забарвлення від вмісту легуючих домішок у кристалі та від структури центрів забарвлення. Результати розрахунків узгоджуються з експериментальними даними.

  Повний текст PDF - 186.885 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"