Для вияснення мікроскопічних механізмів прискорення процесу оксидації Si за присутності моношару Cr проведено теоретичне дослідження взаємодії атомарного кисню з тонкою плівкою кремнію за присутності атомів Cr. За допомогою методів функціонала електронної густини та псевдопотенціалу з перших принципів одержано розподіли густини валентних електронів та електронні енергетичні спектри для тонкої плівки кремнію за присутності моноатомного шару Cr та атомарного кисню. Спостережено послаблення зв'язків Si - Si у шарах плівки кремнію, близьких до моношару Cr. Реактивність атомів Cr збільшується за їх неповної окисненості.

  Повний текст PDF - 381.748 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"