Надано параметри, яким повинні відповідати кремнієві транзистори, придатні для використання в термометрії. Досліджено вплив рентгенівського опромінення (X-променів) і слабких магнітних полів на електрофізичні характеристики термосенсорів на базі p - n-переходу транзистора 2Т363А. З аналізу змін вольтамперних (ВАХ) і вольтфарадних характеристик показано, що на початковій стадії рентгенівського опромінення спостерігається збільшення ефективності рекомбінаційних процесів в області просторового заряду та незначне зменшення величини прямого струму ВАХ, що можна пояснити ефектом руйнування метастабільних структурних дефектів бази транзистора. Зовнішнє магнітне поле (B = 0,17 Тл) практично не змінює ефективності рекомбінаційних процесів в ОПЗ, але проявляє вплив на дифузійну компоненту прямого струму через p - n-перехід. Дія рентгенівських променів (D << 325 Гр) і магнітних полів (експозиція до 15 год) практично не змінила вольттемпературні характеристики, з чого можна зробити висновок про стабільність робочих характеристик за вищезгаданих умов.Неведено параметри, яким повинні відповідати кремнієві транзистори, придатні для використання в термометрії. Досліджено вплив рентгенівського опромінення (Х-променів) та слабких магнітних полів на електрофізичні характеристики термосенсорів на базі p - n-переходу транзистора 2Т363А. З аналізу змін вольтамперних (ВАХ) та вольтфарадних характеристик показано, що на початковій стадії рентгенівського опромінення спостерігається збільшення ефективності рекомбінаційних процесів в області просторового заряду і незначне зменшення величини прямого струму ВАХ, що можна пояснити ефектом руйнування метастабільних структурних дефектів бази транзистора. Зовнішнє магнітне поле (В = 0,17 Тл) практично не змінює ефективності рекомбінаційних процесів в ОПЗ, але впливає на дифузійну компоненту прямого струму через p - n-перехід. Дія рентгенівських променів (D << 325 Гр) і магнітних полів (експозиція до 15 годин) практично не змінила вольт-температурні характеристики, з чого можна зробити висновок про стабільність робочих характеристик за вищезгаданих умов.