Встановлено закономірності процесів механічної обробки та хімічного полірування нелегованих і легованих телуром та алюмінієм монокристалів ZnSe, досліджено стан поверхні кристалів за допомогою методу електронної мікроскопії. Вивчено спектри низькотемпературної (T = 5 K) фотолюмінесценції кристалів, ідентифіковано відповідні смуги в екситонній і домішковій областях спектра. Проаналізовано залежність інтенсивності та енергетичного положення смуг фотолюмінесценції від типу легуючої домішки та способу механічної і хімічної обробки досліджуваних матеріалів.