Зазначено, що важлива проблема сучасної мікроелектроніки - це створення нових матеріалів і вакуумних процесів на їх основі, які б дозволили об'єднати технологічні операції виготовлення субмікронних структур в єдиному автоматизованому циклі та досягнути степені інтеграції 10<^>-7 - 10<^>-8 елементів на кристалі з використанням кластерного обладнання. Саме проблема технологічної інтеграції значною мірою стримується літографічними процесами, за допомогою яких формується необхідна конфігурація окремих елементів мікросхеми. Сьогодні ці процеси здійснюються за допомогою хімічних методів, які основані на рідинних процесах, що і порушує єдність замкненого технологічного циклу та вимагає великих витрат високоотруйних розчинників. Зазначено, що на обробку єдиної кремнієвої пластини витрачається 5 літрів органічних розчинників. Рідинні процеси літографії є серйозним бар'єром в одержанні субмікронних розмірів (менше 1 мкм) внаслідок ізотропності процесів проявлення та травлення. Таким чином, існуюча літографія не відповідає сучасним вимогам технології формування структур BIC. У ході дослідження визначено сучасні методи сухої літографії в контексті формування суб- і наномікронних структур швидких BIC.

  Повний текст PDF - 461.277 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"