Наукова періодика України Фізика і хімія твердого тіла


Druzhinin A. A. 
Investigation of Ga-In Contacts to Si, Ge and SiGe Wires for Sensor Application / A. A. Druzhinin, Yu. M. Khoverko, I. P. Ostrovskii, S. I. Nichkalo, A. A. Nikolaeva, L. A. Konopko, I. Stich // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13, № 1. - С. 269-272. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2012_13_1_46
Опір і магнітоопір Si, Ge і Si-Ge мікро- та нанодротів досліджено в температурному діапазоні 4,2 - 300 K у магнітних полях до 14 Тл. Діаметри дротів від 200 нм до 20 мкм. Ga-In шлюзи створено для дротів і досліджено омічні характеристики I - U на всьому температурному діапазоні. Встановлено, високі пружні деформації для нанодротів Ge (близько 0,7 %), а також високий магнітоопір (близько 250 % за 14 Тл), що використано для розробки багатофункціональних датчиків одночасного вимірювання напруги та напруженості магнітного поля.
  Повний текст PDF - 208.858 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Druzhinin A.
  • Khoverko Y.
  • Ostrovskii I.
  • Nichkalo S.
  • Nikolaeva A.
  • Konopko L.
  • Stich I.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Druzhinin A. A. Investigation of Ga-In Contacts to Si, Ge and SiGe Wires for Sensor Application / A. A. Druzhinin, Yu. M. Khoverko, I. P. Ostrovskii, S. I. Nichkalo, A. A. Nikolaeva, L. A. Konopko, I. Stich // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13, № 1. - С. 269-272. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2012_13_1_46.

      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського