За допомогою методу рентгенівської фотоелектронної спектроскопії досліджено вплив лазерного опромінення з енергією, близькою до ширини забороненої зони, на структуру тонких плівок As50Se50. Виявлено суттєві відмінності у формах та енергетичному положенні фотоемісійних піків As 3d і Se 3d в аморфних та опромінених лазером плівках As50Se50. Обробку експериментальних даних здійснено шляхом розбивки піків на компоненти, ідентифікації компонент і визначення їх характеристик. Проаналізовано й обговорено відносний вміст різних хімічних станів атомів миш'яку та селену у цілому фотоемісійному сигналі, їх відношення до різних структурних одиниць в аморфних і опромінених лазером зразках.

  Повний текст PDF - 219.16 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"