Електричні властивості подвійних гетероструктур InP/InGaAsP

Круковський, С. І.; Сукач, А. В.; Тетьоркін, В. В.; Мрихін, І. О.; Михащук, Ю. С.

За допомогою методу рідинно-фазової епітаксії вирощено подвійні гетеропереходи p<^>+-InP/n-InGaAsP/n-InP і встановлено взаємозв'язок між технологічними режимами вирощування та їх фізичними властивостями. Показано, що використання цинку як легувальної акцепторної домішки InP спричиняє формування дифузійного p - n переходу в шарі n-InGaAsP. Досліджено механізми проходження темнового струму в інтервалі температур 77 - 378 K і встановлено, що за температур 77 - 250 K реалізуються тунельні струми у випадку прямих і зворотних напруг зміщення. За температур T більше 290 K переважає генераційно-рекомбінаційний струм. Показано, що найбільш імовірною причиною тунельного струму є наявність дислокацій невідповідності в шарі InGaAsP, генерованих в процесі вирощування гетеропереходів.


	Наукова періодика України		Фізика і хімія твердого тіла