Проведено аналіз методів розрахунку мілких і глибоких центрів у напівпровідникових кристалах, що базуються на моделях одиничного та періодичного дефектів відповідно. Особливу увагу звернуто на методи ефективної маси, Слєтера - Костера, псевдопотенціалу, Волкова - Панкратова, функціонала густини та квантово-хімічних підходах. Підкреслено особливості використання відзначених методів розрахунку та одержаних на їх основі результатів.Представлено аналіз експериментальних методів визначення мілких і глибоких центрів у напівпровідникових кристалах. Розглянуто кінетичні, релаксаційні та оптичні методи визначення енергії іонізації дефектів. Підкреслено особливості використання відзначених експериментальних методів та одержаних на їх основі результатів.Проаналізовано результати експериментальних і теоретичних досліджень енергетичних рівнів власних і домішкових дефектів у цинк, кадмій і плюмбум телуридах. Розглянуто як нові, так і вже відомі роботи з питань дослідження енергетичного спектра точкових дефектів у кристалах A<^>IIB<^>VI та A<^>IVB<^>VI.

  Повний текст PDF - 352.889 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"