Вплив поверхневого легування на характеристики кремнієвих P-N переходів

Птащенко, Ф. О.; Птащенко, О. О.; Довганюк, Г. В.

Досліджено вплив тривалої витримки кремнієвих p - n переходів у вологих парах аміаку з парціальним тиском 12 кПа на характеристики p - n структур як сенсорів парів аміаку та води в навколишній атмосфері. Проведено числові двовимірні розрахунки нерівноважних поверхневих процесів у процесі адсорбції молекул донорного газу. Встановлено, що тривала обробка в парах аміаку суттєво збільшує струм, обумовлений адсорбцією молекул NH3, H2O та C2H5OH. Даний ефект пояснюється формуванням донорних поверхневих центрів, які частково компенсують акцепторні поверхневі центри в кремнії.Досліджено вплив тривалої витримки p - n-переходів на основі GaAs у вологих парах NH3 з парціальним тиском 12 кПа на їх характеристики як сенсорів парів води та аміаку. Встановлено, що вказана обробка веде до утворення повільних донорних поверхневих центрів з часом десорбції <$E tau~=~3,3~cdot~10 sup 5> с, які суттєво підвищують чутливість сенсорів. Досягнуто порога чутливості сенсорів до парів аміаку <$E P sub a sup min~=~0,1> Па (що відповідає 1 ppm), чутливості 40 нА/Па до парів NH3 та 25 нА/кПа до парів води. Верхня межа області чутливості сенсорів парів аміаку після вказаної обробки складає 200 Па і обумовлена наявністю поверхневих рівнів глибиною 0,18 - 0,20 еВ. Розширення області чутливості сенсора в результаті обробки надало змогу виявити кілька повільних глибоких поверхневих рівнів у GaAs.


	Наукова періодика України		Фізика і хімія твердого тіла