| Наукова періодика України |
| Фізика і хімія твердого тіла |
Druzhinin A. A. Influence of Dispersion of Polysilicon on Low-Temperature Conductivity in SOI Structures / A. A. Druzhinin, I. T. Kogut, Yu. M. Khoverko, R. M. Koretskii // Фізика і хімія твердого тіла. - 2011. - Т. 12, № 3. - С. 753-756. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2011_12_3_35 The studies of temperature dependence of conductivity, impedance analysis and magnetoresistance of SOI-structures with polysilicon resistors with carrier concentration <$E 3,9~cdot~10 sup 19>, <$E 2,4~cdot~10 sup 18~roman сm sup -3> before recrystallization and <$E 1,7~cdot~10 sup 20>, <$E 4,8~cdot~10 sup 18~roman сm sup -3> after recrystallization in temperature range 77 - 300 K are presented. The dimensions of polysilicon resistor in SOI-structure are <$E 80~times~8~times~0,5~mu roman m>. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Druzhinin A. A. Influence of Dispersion of Polysilicon on Low-Temperature Conductivity in SOI Structures / A. A. Druzhinin, I. T. Kogut, Yu. M. Khoverko, R. M. Koretskii // Фізика і хімія твердого тіла. - 2011. - Т. 12, № 3. - С. 753-756. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2011_12_3_35. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця" |
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |
|||||
