Досліджено електронні властивості напружених шарів Ge (3 моношари із 24 атомів на елементарну комірку) на плівці (001) Si (2 моношари із 16 атомів на елементарну комірку) та масив пірамідальних островків Ge (3 моношари із 7 атомів на елементарну комірку) на плівці (001) Si авторським пакетом комп'ютерних програм, що основані на теорії функціонала електронної густини та псевдопотенціалу та надають змогу одержати основний стан електронної підсистеми. Ці атомні системи є учасниками процесу переходу від 2D епітаксіального росту механічно напружених гетероструктур до 3D росту наноострівців. В результаті досліджень встановлено суттєву просторову локалізацію зарядової густини в Ge острівцях у порівнянні з неперервними напруженими плівками Ge. Вона проявлялася в тому, що залишки електронної густини ще спостерігалися на відстані 3,6 ангстрем від поверхні плівки Ge, тоді як ця відстань від вершин Ge острівців була тільки 2,4 ангстрем. Стосовно енергетичного спектра електронів у масиві островків Ge на плівці Si, спостережено перекриття валентних зон і зниження їх вершин.

  Повний текст PDF - 645.189 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"