Hydrogen as a Source of High-Temperature Charge Instability in Silicon-on-Insulator Structures and Field Effect Transistors

Nazarova, T. M.; Lysenko, V. S.; Nazarov, A. N.; Tomashik, V. M.; Flandre, D.

Досліджено явище високотемпературної нестабільності заряду в приповерхневому оксиді n-МОН структури з повністю виснаженою інверсною модою в кремнії-на-ізоляторі та високотемпературну динаміку носіїв струму в конденсаторах, виготовлених із використанням кремнію, імплантованого киснем, і кремнію за присутності SiO2. Показано, що природа процесу високотемпературної нестабільності заряду зумовлена генерацією протонів в порушеній зоні поблизу межі приповерхневий оксид - кремнієва підкладка за температур вищих за 200 градусів за Цельсієм. Визначено значення енергії активації процесу генерації протонів (1,2 еВ для SIMOX і від 0,9 до 1,5 еВ для UNIBOND матеріалів) і розраховано коефіцієнт дифузії протонів у приповерхневому оксиді.


	Наукова періодика України		Фізика і хімія твердого тіла