На базі теоретично розрахованих характеристик енергетичних спектрів народжених екзоелектронів у широкозонних кристалах CsI за допомогою методу Монте-Карло досліджено вплив областей просторового заряду та електрон-фононних взаємодій на транспорт до поверхні та вихід у вакуум низькоенергетичних екзоелектронів. Застосовуючи комп'ютерне моделювання процесів розсіяння на LO-фононах за присутності однорідного електричного прискорювального поля, одержано модельні енергетичні спектри екзоелектронів, що досягли поверхні, як межі розділу. Спектри демонструють, що енергії, набуті екзоелектронами за їх дрейфового руху у приповерхневому шарі і які досягли поверхні, можуть бути достатні для подолання ними поверхневого енергетичного бар'єру та виходу з кристала (екзоемісії).

  Повний текст PDF - 310.632 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"