Наукова періодика України Фізика і хімія твердого тіла

Khoverko Yu. N. 
Polysilicon on Insulator Structures for Sensor Application at Harsh Conditions / Yu. N. Khoverko // Фізика і хімія твердого тіла. - 2011. - Т. 12, № 1. - С. 230-235. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2011_12_1_38
The paper deals with an investigation of conductance of recrystallized p-type polysilicon-on-insulator layers irradiated with electrons of high energies in temperature range 4,2 - 300 K and high magnetic fields (up to 14 T). The aim of paper is to obtain material with properties appropriated for design of sensors operating in harsh employment conditions.
  Повний текст PDF - 515.492 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Khoverko Y.

    • Бібліографічний опис для цитування:

    Khoverko Yu. N. Polysilicon on Insulator Structures for Sensor Application at Harsh Conditions / Yu. N. Khoverko // Фізика і хімія твердого тіла. - 2011. - Т. 12, № 1. - С. 230-235. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2011_12_1_38.
      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського