Проаналізовано кристалоквазіхімічні формули, які визначають дефектні підсистеми (власні точкові дефекти та їх комплекси) у нестехіометричних кристалах кадмій, станум і плюмбум телуридах. Наведено залежності концентрації дефектів і холлівської концентрації носіїв заряду від характеру та величини відхилення від стехіометричного складу. Визначено вид і зарядовий стан домінуючих точкових дефектів за різних відхилень від стехіометрії та умови реалізації термодинамічного n - p - (p - n)-переходів відповідно.