Особливості спектрів поглинання і фоточутливості монокристала тетрарної сполуки AgGaGeS4

Давидюк, Г. Є.; Мирончук, Г. Л.; Парасюк, О. В.; Хвищун, М. В.; Данильчук, С. П.; Замуруєва, О. В.

Проведено дослідження дефектних алмазоподібних тетрарних монокристалів AgGaGeS4 (просторова група Fdd2), в яких лише 75 % вузлів у кристалографічній позиції 16b зайняті атомами Ag. Наявність стехіометричних вакансій срібла і статистичне заповнення відповідних вузлів кристалічної гратки атомами Ga і Ge спричиняють появу властивостей невпорядкованих матеріалів у сполуках AgGaGeS4, p-типу провідності. На основі аналізу спектрів поглинання світла в області краю фундаментальних переходів зроблено висновок про існування підзон зони провідності, утворених хвильовими функціями орбіталей валентних електронів атомів Ag, Ga, Ge з різною ефективною масою. Монокристали AgGaGeS4 належать до фоточутливих напівпровідників. Інтерпретацію експериментальних результатів проведено в межах моделі Мотта для невпорядкованих тіл.


	Наукова періодика України		Науковий вісник Східноєвропейського національного університету імені Лесі Українки