Розвиток сфери комунікаційного зв'язку в області систем управління і новітніх технологій у різних галузях промисловості і виробництва зумовлює потребу одержання дешевих, анізотропних, кристалічних фоточутливих сполук із регульованими параметрами і широкими вікнами пропускання світла, які можуть бути перспективними матеріалами оптоелектроніки, нелінійної оптики тощо. Як показали проведені в останні роки наукові дослідження, до таких матеріалів відносяться деякі багатокомпонентні сполуки. Завдяки низці фізичних властивостей особливо перспективними можуть виявитися халькогенідні фази, для яких аналогами є бінарні халькогеніди групи A<^>IIB<^>VI. Досліджено оптичні та фотоелектричні властивості маловивченої тетрарної монокристалічної сульфідної сполуки AgGaGeS4. Показано, що халькогенідні матеріали даного типу є фоточутливими широкозонними (<$E E sub g~symbol Ы~ 2,8> еВ при T = 300 K) напівпровідниками, спектр люмінесценції яких лежить у видимій області електромагнітного випромінювання (<$E lambda sub m~symbol Ы~ 700~-~735> нм). На основі дослідження температурної залежності інтенсивності випромінювання в максимумі спектрального розподілу фотолюмінесценції запропоновано модель центрів випромінювання, за які за умов низьких температур (<$E T~symbol Ы~ 80~-~180> K) відповідальні донорно-акцепторні пари. Встановлено енергетичне положення в забороненій зоні сполуки компонент пари, висловлено припущення щодо природи донора і акцептора, які входять у склад пари. За високих температур (<$E T~>>~180~-~200> K) механізм випромінювання набуває характеру рекомбінаційної люмінесценції.