Вплив легуючих атомів хімічних елементів І, ІІІ і IV груп на деякі фізичні властивостімонокристалів тетрарної сполуки AgGaGe3Se8

Кітик, І. В.; Мирончук, Г. Л.; Давидюк, Г. Є.; Якимчук, О. В.; Парасюк, О. В.; Хмель, М.

Досліджено електричні, оптичні та фотоелектричні властивості монокристалів тетрарної фази AgGaGe3Se8, легованої атомами Cu, In, Si, Sn. Ця сполука - високоомний (10<^>-7 - 10<^>-10 Ом<^>-1см<^>-1, при <$E Т~symbol Ы~300> К) широкозонний напівпровідник (<$E E sub g ~symbol Ы~ 2,4> еВ) p-типу провідності з електричними, оптичними і фотоелектричними параметрами, які залежать від природи і концентрації легуючих домішок. Показано, що легування зразка AgGaGe3Se8 з 5 - 10 % концентрацією домішок веде до просвітлення кристала в області вікна пропускання світла (<$E h nu~<<~ 1,8> еВ). На основі запропонованої фізичної моделі, з врахуванням особливостей невпорядкованих систем, проведено інтерпретацію одержаних експериментальних результатів.


	Наукова періодика України		Науковий вісник Східноєвропейського національного університету імені Лесі Українки