Исследование процессов получения и некоторые электрофизические характеристики эпитаксиальных структур Si-Ge на подложках Si и Si-Ge

Журавлёв, А. Ю.; Семёнов, Н. А.; Шеремет, В. И.; Широков, Б. М.; Шиян, А. В.; Бокучава, Г. В.; Дарсавелидзе, Г. Ш.; Чиковани, Р. И.


	Наукова періодика України		Науковий вісник Ужгородського університету

Журавлёв А. Ю.
Исследование процессов получения и некоторые электрофизические характеристики эпитаксиальных структур Si-Ge на подложках Si и Si-Ge / А. Ю. Журавлёв, Н. А. Семёнов, В. И. Шеремет, Б. М. Широков, А. В. Шиян, Г. В. Бокучава, Г. Ш. Дарсавелидзе, Р. И. Чиковани // Науковий вісник Ужгородського університету. Сер. : Фізика. - 2011. - Вип. 29. - С. 30-36. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvuufiz_2011_29_6

Повний текст PDF - 336.375 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

Журавлёв А. Ю. Исследование процессов получения и некоторые электрофизические характеристики эпитаксиальных структур Si-Ge на подложках Si и Si-Ge / А. Ю. Журавлёв, Н. А. Семёнов, В. И. Шеремет, Б. М. Широков, А. В. Шиян, Г. В. Бокучава, Г. Ш. Дарсавелидзе, Р. И. Чиковани // Науковий вісник Ужгородського університету. Сер. : Фізика. - 2011. - Вип. 29. - С. 30-36. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvuufiz_2011_29_6.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача