Для сферичних наногетероструктур Si/SiO2 та GaAs/AlAs у наближенні ефективної маси варіаційним способом обчислено енергію електронів одно- та двовалентної домішок як функцію радіуса квантової точки у випадку скінченної й нескінченної ям. Одержані результати порівняно з точними й показано, що вибрана варіаційна функція дає незначну похибку в обчисленнях. Показано, що у випадку великих радіусів нанокристалів енергія прямує до значень, які відповідають значенням воднево- й гелієподібної домішки в об'ємному кристалі Si чи GaAs відповідно. За великих радіусів квантової точки основний енергетичний рівень двовалентного донора розташований нижче від одновалентного, а зменшення радіуса квантової точки веде до зростання енергії, яка для двовалентного донора зростає швидше, ніж для одновалентного. Визначено середні та найбільш ймовірні відстані електрона, які показали, що електрон із більшою ймовірністю знаходиться у квантовій точці.

  Повний текст PDF - 393.986 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"