Твердофазне легування елементами V групи періодичної таблиці епітаксійних шарів CdxHg1-xTe

Власов, А. П.; Сторчун, О. П.; Бончик, О. Ю.; Фодчук, І. М.; Заплітний, Р. А.; Барч, А.; Свьонтек, З.; Омельянчук, В. П.

Надано результати досліджень контрольованого легування елементами V групи періодичної таблиці - миш'яком As і сурмою Sb вузькощілинних епітаксійних шарів CdxHg1-xTe у процесі ізотермічного нарощування з газової фази за допомогою методу випаровування - конденсація - дифузія. Для твердофазного легування застосовано три типи джерел домішок: однорідно леговані As (Sb) монокристалічні підкладки CdTe, леговані As буферні епітаксійні плівки CdyHg1-yTe (<$E y~>>~x>), нанесені високочастотним розпорошенням у ртутній плазмі на нелеговані підкладки CdTe, а також імплантовані As (Sb) нелеговані підкладки CdTe.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"


	Наукова періодика України		Науковий вісник Чернівецького університету