Наукова періодика України Наукові праці ОНАЗ ім. О. С. Попова


Керимов Э. А. 
Инфракрасные приемники информации на основе полупроводниковых композитных материалов / Э. А. Керимов, М. М. Гаджиев, Л. В. Иванова // Наукові праці ОНАЗ ім. О. С. Попова. - 2019. - № 1. - С. 66-71. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nponaz_2019_1_10
Представлен фототранзистор (ПТШ - полевой транзистор Шоттки) с барьером Шоттки на основе контакта IrSi - Si индуцированного и р-канального встроенного типа, который имеет высокую фоточувствительность и более широкую область спектральной чувствительности по сравнению с диодами Шоттки и МОП (металл-оксид-полупроводник) и МДП (металл-диэлектрик-полупроводник) структурами. Исследованы вольтамперные характеристики затвора полевого транзистора, управляемого барьером Шоттки на основе контакта IrSі - Sі, определена зависимость токов затвора от напряжения. Существенное увеличение коэффициента заполнения Шоттки-матриц достигается считыванием заряда, накопленного в диоде Шоттки, не с помощью ПЗС (приборы с зарядной связью) - регистров, а путем его инжекции в сигнальную шину, аналогично ПЗИ (приборы с зарядной инжекцией) - структурам на узкозонных полупроводниках. В этом случае многоэлементная матрица содержит горизонтальные шины, для опроса элементов выбранной строки, вертикальные сигнальные шины, МОП-ключ (металл-оксид-полупроводник) для подключения опрашиваемого столбца и матрицы фоточувствительных элементов, каждый из которых состоит из фоточувствительного диода Шоттки и МОП-ключа. Экспериментальным способом установлено что, зависимость тока затвора ПТШ с индуцированным каналом показывает, что для напряжения с ИК-излучением транзисторной структуры, положительный заряд, удерживаемый в пленке IrSi, разряжается в кремниевую пленку, образуя фототок в затворе полевого транзистора. Рассмотренный ИК-детектор может быть совмещен с элементами интегральных схем, что открывает широкие перспективы для его использования в многоэлементных инфракрасных фотоприемниках большой степени интеграции.Представлен фототранзистор (ПТШ - полевой транзистор Шоттки) с барьером Шоттки на основе контакта IrSi - Si индуцированного и р-канального встроенного типа, который имеет высокую фоточувствительность и более широкую область спектральной чувствительности по сравнению с диодами Шоттки и МОП (металл-оксид-полупроводник) и МДП (металл-диэлектрик-полупроводник) структурами. Исследованы вольтамперные характеристики затвора полевого транзистора, управляемого барьером Шоттки на основе контакта IrSі - Sі, определена зависимость токов затвора от напряжения. Существенное увеличение коэффициента заполнения Шоттки-матриц достигается считыванием заряда, накопленного в диоде Шоттки, не с помощью ПЗС (приборы с зарядной связью) - регистров, а путем его инжекции в сигнальную шину, аналогично ПЗИ (приборы с зарядной инжекцией) - структурам на узкозонных полупроводниках. В этом случае многоэлементная матрица содержит горизонтальные шины, для опроса элементов выбранной строки, вертикальные сигнальные шины, МОП-ключ (металл-оксид-полупроводник) для подключения опрашиваемого столбца и матрицы фоточувствительных элементов, каждый из которых состоит из фоточувствительного диода Шоттки и МОП-ключа. Экспериментальным способом установлено что, зависимость тока затвора ПТШ с индуцированным каналом показывает, что для напряжения с ИК-излучением транзисторной структуры, положительный заряд, удерживаемый в пленке IrSi, разряжается в кремниевую пленку, образуя фототок в затворе полевого транзистора. Рассмотренный ИК-детектор может быть совмещен с элементами интегральных схем, что открывает широкие перспективы для его использования в многоэлементных инфракрасных фотоприемниках большой степени интеграции.
  Повний текст PDF - 790.416 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Керимов Э.
  • Гаджиев М.
  • Иванова Л.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Керимов Э. А. Инфракрасные приемники информации на основе полупроводниковых композитных материалов / Э. А. Керимов, М. М. Гаджиев, Л. В. Иванова // Наукові праці ОНАЗ ім. О. С. Попова. - 2019. - № 1. - С. 66-71. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nponaz_2019_1_10.

    Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
    (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  • Іванова Людмила Валентинiвна (економічні науки)
  •   Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського