Измерены спектры краевой люминесценции арсенида галлия (GaAs) слабо легированного p- и n-типа в интервале температур 77 - 300 К. Выяснены типы излучательных переходов и их зависимости от степени легирования материала и температуры. Установлен критерий исчезновения донорных энергетических уровней вследствие дебаевского экранирования примесей. Проведено сравнение спектров фотолюминесценции со спектрами электролюминесценции асимметричного p+ -n-перехода в режиме сильной инжекции в n-области. Показана особая роль мелких донорных состояний в излучательной рекомбинации в невырожденном и слабо вырожденном n-GaAs.

  Повний текст PDF - 735.279 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"