Рассмотрен процесс получения порошков карбида кремния SiC и нитрида кремния Si₃N₄ с применением излучения CO₂-лазера. Технология отличается тем, что используемые в процессе изготовления реагентные газы - силан SiH4 и аммиак NH3 (для получения нитрида кремния) или этилен С₂H₄ (для получения карбида кремния) пропускаются через луч CO₂-лазера. При этом получаются мелкодисперсные, монодисперсные (содержащие сферические частицы одинакового размера), высокочистые, неагломерированные порошки SiC и Si₃N₄. Изготовленная на основе таких порошков керамика характеризуется минимальными полостями за счет монодисперсности и правильной формы частиц порошков. Варисторы, изготовленные из порошка с применением лазерной обработки, обладают более высокими защитными свойствами.

  Повний текст PDF - 387.229 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"