Наукова періодика України Наукові праці Національного університету харчових технологій


Король А. М. 
Вплив домішкової зони на положення глибокого рівня в сильнолегованих напівпровідниках типу А3 В5 / А. М. Король // Наукові праці Національного університету харчових технологій. - 2012. - № 45. - С. 94-96. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Npnukht_2012_45_18
Розглянуто сильнолегований мілкими домішками напівпровідник, в якому є також глибокий домішковий центр; потенціал останнього задається моделлю Слетера-Костера. Показано, що положення глибокого рівня в даній системі істотно відрізняється від його положення в нелегованому напівпровіднику. Конкретний розрахунок проведено для напівпровідників типу A3B5 (використано кейнівський закон дисперсії).
  Повний текст PDF - 231.306 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Король А.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Король А. М. Вплив домішкової зони на положення глибокого рівня в сильнолегованих напівпровідниках типу А3 В5 / А. М. Король // Наукові праці Національного університету харчових технологій. - 2012. - № 45. - С. 94-96. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Npnukht_2012_45_18.

      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського