Наукова періодика України | Наукові праці Національного університету харчових технологій | ||
Король А. М. Вплив домішкової зони на положення глибокого рівня в сильнолегованих напівпровідниках типу А3 В5 / А. М. Король // Наукові праці Національного університету харчових технологій. - 2012. - № 45. - С. 94-96. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Npnukht_2012_45_18 Розглянуто сильнолегований мілкими домішками напівпровідник, в якому є також глибокий домішковий центр; потенціал останнього задається моделлю Слетера-Костера. Показано, що положення глибокого рівня в даній системі істотно відрізняється від його положення в нелегованому напівпровіднику. Конкретний розрахунок проведено для напівпровідників типу A Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Король А. М. Вплив домішкової зони на положення глибокого рівня в сильнолегованих напівпровідниках типу А3 В5 / А. М. Король // Наукові праці Національного університету харчових технологій. - 2012. - № 45. - С. 94-96. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Npnukht_2012_45_18. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |