Intercalated nanostructures of InSe<$E<<>histidine<$E>>> and GaSe<$E<<>histidine<$E>>> were formed. Phenomena of the negative capacitance and the quantum capacitance are visualized in the first nanostructure. The introduction of histidine between indium selenide layers leads to increasing of conductivity anisotropy (<$Esigma sub || "/" sigma sub { symbol <94> }>) from 67 to 226. Temperature dependences of the real component of the complex impedance indicate semiconductor mechanism of conductivity along nanolayers with two activation energies: 1,6 meV at low-temperature and 0,25 meV in high-temperature regions. Appearance of the giant high-frequency negative magnetoresistance and almost 20-fold photosensitivity increase are observed in the second nanostructure. The conductivity anisotropy of the nanostructure GaSe<$E<<>htd<$E>>> (<$Esigma sub || "/" sigma sub { symbol <94> }>) is 10<^>2. Temperature dependence of the real component of complex impedance along the layers at temperature regions -<$E30~<<~t~symbol Р roman C~symbol Г~10>, <$E10~<<~t~symbol Р roman C~symbol Г~30>, <$E30~<<~t~symbol Р roman C~symbol Г~50> demonstrates cardinally different mechanisms of conductivity. Activation energies are 0,35 meV in the low-temperature and 0,69 meV in high-temperature intervals. Non-activated conductivity mechanism is observed within the range of temperatures <$E10~<<~t~symbol Р roman C~symbol Г~30>. The parameters of the energy spectrum calculated using the Geballe - Pollak theory prior to and after introduction of histidine for two nanostructures are given; it well correlates with the experimental dates.∕≤∘∘⊥σСформированы интеркалянтные наноструктуры InSe<htd> и GaSe<htd>. Для первой наноструктуры визуализированы эффекты отрицательной фотоемкости и квантовой емкости. Внедрение гистидина между слоями селенида индия приводит к росту анизотропии электропроводности σ_||/σ_⊥от 67 до 226. Температурные зависимости реальной составляющей комплексного импеданса свидетельствуют о полупроводниковом механизме проводимости вдоль слоев с двумя энергиями активации - 1,6 мэВ в низкотемпературной и 0,25 мэВ в высокотемпературной областях. Для второй наноструктуры наблюдаются 20-кратный рост фоточувствительности и появление гигантского высокочастотного отрицательного магнетосопротивления. Анизотропия электропроводности σ_||/σ_⊥ наноструктуры GaSe<htd> составляет 10². Температурная зависимость реальной составляющей комплексного импеданса вдоль слоев в температурных областях -30^∘C<t ≤ 10^∘C, 10^∘C<t ≤ 30^∘C, 30^∘C<t ≤ 50^∘C демонстрирует кардинально отличающиеся механизмы электропроводности. Энергии активации составляют 0,35 в низкотемпературном и 0,69 в высокотемпературном интервалах. При температурах 30^∘C<t ≤ 10^∘C наблюдается неактивационный механизм электропроводности. Для двух наноструктур приведены значения параметров зонного спектра до и после внедрения гистидина, вычисленные по теории Джеболла - Поллака, которые хорошо коррелируют с полученными экспериментальными данными.

  Повний текст PDF - 338.351 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"