Особенности распределения электрического поля в 1D фотонных кристаллах с тремя полуволновыми дефектами

Первак, Ю. А.; Федоров, В. В.

Исследованы спектральные характеристики пропускания пространственно-ограниченных 1D фотонных кристаллов (ФК) с тремя полуволновыми дефектами. ФК состоит из 49 чередующихся слоев оксидов кремния и титана. Найдена структура кристалла и положение полуволновых дефектов, при которых в области фотонной запрещенной зоны отчетливо проявляются 3 узкие разрешенные зоны. Исследовано влияние степени согласованности дефектов на положение возникающих разрешенных зон и пространственное распределение электрического поля в 1D ФК. Установлено, что электрическое поле концентрируется в середине дефектных слоев с меньшей диэлектрической проницаемостью, а в случае высокой диэлектрической проницаемости дефектного полуволнового слоя - на интерфейсах слоев с низкой и высокой диэлектрической проницаемостью. Показано, что при увеличении разницы в толщине центрального и двух крайних резонаторов, образующих дефекты ФК, существенно возрастает электрическое поле в области резонаторов. При разнице в толщинах 40 % электрическое поле в области резонаторных слоев превышает электрическое поле на входной поверхности в 5000 раз.


	Наукова періодика України		Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології