Разработан и исследован метод формирования перфорированных плёнок анодного оксида алюминия (АОА) с регулярной ячеисто-пористой структурой и удалённым барьерным оксидным слоем при анодной поляризации системы Al/n-Si. Отработаны технологические режимы селективного роста полупроводниковых соединений InGaN в порах модифицированных матриц АОА методом гидридной газофазной эпитаксии. Полученные самоорганизованные наноструктуры InGaN в порах АОА характеризуются кристаллографической неполярной <$E alpha>-ориентацией. Выполнены исследования катодолюминесценции полученных структур и проанализированы их спектральные характеристики.