В рамках метода диэлектрического формализма для системы трех сред с пространственной дисперсией рассчитан структурный потенциал <$E DELTA V sub j sup st> (r) в системе полупроводник - вакуум - металл, который обусловлен атомной (микроскопической) структурой каждой из поверхностей. Взаимосвязь между полупроводником и металлом, которая обусловлена экранированием поверхностного заряда полупроводника свободными электронами близко расположенного металла и усилена образованием потенциального барьера в вакуумном промежутке при <$E L~<<~10> нм, существенно возрастает с уменьшением его толщины <$E L~<<~0,1> нм. Показано, что рассчитанный структурный потенциал <$E DELTA V sub j sup st> (r), который является суперпозицией вкладов микроскопической структуры каждой из двух поверхностей, является несимметричным и обусловливает не только локальное изменение высоты потенциального барьера в вакуумной щели, но и латеральное изменение суммарного потенциала <$E V sub j> (r) на поверхности полупроводника и в его приповерхностной области.

  Повний текст PDF - 377.714 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"