Деградация транзисторов под влиянием протонного облучения с энергией 1,8 МэВ измерялась до плотности протонного излучения <$E 3~cdot~10 sup 15~roman см sup -2>. Структуры с высокой электронной подвижностью на основе AlGaN/AlN/GaN имеют более высокое значение электронной мобильности, чем структуры на основе AlGaN/GaN, и обладают более высокой радиационной стойкостью с отсутствием затухания электрических свойств до значения интегральной плотности потока протонов 10<^>14 см<^>-2. Измеряемые электрофизические параметры транзисторных структур продемонстрировали уменьшение максимальной крутизны вольтамперных характеристик, увеличение порогового тока и уменьшение тока насыщения. Основными механизмами деградации структур под влиянием протонного излучения являются уменьшение подвижности носителей вследствие увеличения рассеяния носителей на границе и уменьшение плотности носителей в канале в результате перемещения носителей на глубокие уровни из зоны проводимости.

  Повний текст PDF - 285.116 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"