На основі концепції квантово-механічного імпедансу для розв'язання прикладних задач наноелектроніки розроблено модель імпедансних квантово-механічних <$E delta>-неоднорідностей - <$E delta>-бар'єра і <$E delta>-ями. Розглянуто типові моделі для природних і штучних квантово-механічних структур: поодинокі, подвійні і потрійні <$E delta>-неоднорідності; потенціальні сходинки, ями і бар'єри з <$E delta>-неоднорідностями; грати <$E delta>-неоднорідностей. Одержано аналітичні вирази для власних значень структур. Наведено енергетичні залежності коефіцієнтів відбиття та проходження для характерних квантово-механічних структур з <$E delta>-функціональним потенціалом. Похибку <$E delta>-моделі проаналізовано порівнянням з характеристиками неоднорідностей зі скінченними розмірами. Розглянуто кристал і кристалоподібну структуру, дефекти в кристалі та поверхневі рівні. Наведено характеристики граток <$E delta>-бар'єрів, які ілюструють зонний характер пропускання необмеженої періодичної структури. Імпедансні <$E delta>-моделі квантово-механічних структур відрізняються простотою і наочністю, широкими можливостями їх використання під час проектування наноелектронних пристроїв обробки сигналів, а також у навчальному процесі.

  Повний текст PDF - 303.139 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"