S1/f noise and carrier transport mechanisms in InSb p + -n junctions

Tetyorkin, V. V.; Sukach, A. V.; Tkachuk, A. I.; Trotsenko, S. P.


	Наукова періодика України		Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics

Tetyorkin V. V.
S1/f noise and carrier transport mechanisms in InSb p + -n junctions / V. V. Tetyorkin, A. V. Sukach, A. I. Tkachuk, S. P. Trotsenko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2018. - Vol. 21, № 4. - С. 374-379. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2018_21_4_9

Повний текст PDF - 460.957 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

Tetyorkin V. V. S1/f noise and carrier transport mechanisms in InSb p + -n junctions / V. V. Tetyorkin, A. V. Sukach, A. I. Tkachuk, S. P. Trotsenko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2018. - Vol. 21, № 4. - С. 374-379. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2018_21_4_9.

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

Тетьоркін Володимир Володимирович (фізико-математичні науки)

Сукач Андрій Васильович (фізико-математичні науки)

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача