Наукова періодика України Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics


Yurkovych N. V. 
Synergetics of the instability and randomness in the formation of gradient modified semiconductor structures / N. V. Yurkovych, M. I. Mar'yan, V. Seben // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2018. - Vol. 21, № 4. - С. 365-373. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2018_21_4_8
The criteria for formation of an inhomogeneous structure based on vitreous Ge2S3 with modifiers Al, Bi, Pb, Te that are identified due to changes in the condensed medium (evaporation temperature, condensation velocity, increasing or decreasing the intensity of the fluctuations of the active field) have been determined. The article analyzes the obtained equations describing formation of inhomogeneous amorphous structures and taking into account the dynamics of the concentration of modifier owing to the source of the atomic flow of a chemical element, structural heterogeneity (availability of vacancies, micropores) and particle diffusion. Computer simulation of the source of the atomic flow of the modifier has been carried out, which makes it possible to form gradient structures with the predicted distribution of the chemical element according to the film thickness. Morphology of gradient structure surfaces and the mechanism of condensation of modifiers Al, Bi, Pb, Te with the amorphous matrix of Ge2S3 have been ascertained.
  Повний текст PDF - 906.935 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Yurkovych N.
  • Mar'yan M.
  • Seben V.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Yurkovych N. V. Synergetics of the instability and randomness in the formation of gradient modified semiconductor structures / N. V. Yurkovych, M. I. Mar'yan, V. Seben // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2018. - Vol. 21, № 4. - С. 365-373. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2018_21_4_8.

      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського