Наукова періодика України | Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics | ||
Korbutyak D. V. 2D semiconductor structures as a basis for new high-tech devices / D. V. Korbutyak, V. G. Lytovchenko, M. V. Strikha // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2018. - Vol. 21, № 4. - С. 380-386. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2018_21_4_10 In this article, we present a short overview of the Ukrainian contribution into physics of 2D semiconductor structures as a basis for high-tech devices of modern nanoelectronics together with some new results in this field. The possibility of creating "low-threshold" 2D lasers in Si Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Korbutyak D. V. 2D semiconductor structures as a basis for new high-tech devices / D. V. Korbutyak, V. G. Lytovchenko, M. V. Strikha // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2018. - Vol. 21, № 4. - С. 380-386. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2018_21_4_10.Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |