Наукова періодика України Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics


Shanina B. D. 
Calculation of spin-Hamiltonian constants for extended defects (VSi-VC)0 (Ky5) in silicon carbide polytype 3C-SiC / B. D. Shanina, V. Ya. Bratus // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2018. - Vol. 21, № 3. - С. 225-230. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2018_21_3_4
This work presents theoretical studying the neutral divacancy, i.e., the Ky5 center that is one of the dominant defects in 3C-SiC bulk crystals subjected to relatively high dose of neutron irradiation. Being the paramagnetic center, the extended defect Ky5 shows the value of the zero field splitting (ZFS) in the electron paramagnetic resonance (EPR) signal <$ED~=~443~cdot~10 sup -4> cm<^>-1 and <$E454~cdot~10 sup -4> cm<^>-1 in two modifications. To understand the ZFS value, relativistic ab initio calculation has been carried out for obtaining the electron structure of 3C-SiC crystal containing the defect Ky5. Using the WIEN program package, the self-consisting values of the electron density <$Erho> and controlling <$Erho> potential V have been found. Based on the obtained values <$Erho> and V, the contributions in ZFS from dipole-dipole and spin-orbit interactions have been found. It has been shown that the main contribution stems from the dipole-dipole interaction. Spin-orbit interaction gives a negligible contribution to ZFS. Due to the relativistic approach, spin-up and spin-down values of the electron density have been obtained, which permits to calculate the hyperfine fields at the nuclei in environment of the di vacancy in 3C-SiC.
  Повний текст PDF - 639.626 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Shanina B.
  • Bratus V.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Shanina B. D. Calculation of spin-Hamiltonian constants for extended defects (VSi-VC)0 (Ky5) in silicon carbide polytype 3C-SiC / B. D. Shanina, V. Ya. Bratus // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2018. - Vol. 21, № 3. - С. 225-230. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2018_21_3_4.

    Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
    (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  • Шаніна Белла Дмитрівна (фізико-математичні науки)
  • Братусь Віктор Якович (фізико-математичні науки)
  •   Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського