Наукова періодика України | Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics | ||
Shanina B. D. Calculation of spin-Hamiltonian constants for extended defects (VSi-VC)0 (Ky5) in silicon carbide polytype 3C-SiC / B. D. Shanina, V. Ya. Bratus // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2018. - Vol. 21, № 3. - С. 225-230. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2018_21_3_4 This work presents theoretical studying the neutral divacancy, i.e., the Ky5 center that is one of the dominant defects in 3C-SiC bulk crystals subjected to relatively high dose of neutron irradiation. Being the paramagnetic center, the extended defect Ky5 shows the value of the zero field splitting (ZFS) in the electron paramagnetic resonance (EPR) signal <$ED~=~443~cdot~10 sup -4> cm<^>-1 Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Shanina B. D. Calculation of spin-Hamiltonian constants for extended defects (VSi-VC)0 (Ky5) in silicon carbide polytype 3C-SiC / B. D. Shanina, V. Ya. Bratus // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2018. - Vol. 21, № 3. - С. 225-230. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2018_21_3_4.Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |