Наукова періодика України Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics

Bilanych V. V. 
Studying the mechanical properties of (Cu1-xAgx)7GeS5I mixed crystals by using the micro-indentation method / V. V. Bilanych, A. V. Bendak, K. V. Skubenych, A. I. Pogodin, V. S. Bilanych, I. P. Studenyak // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2018. - Vol. 21, № 3. - С. 273-276. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2018_21_3_10
(Cu1-xAgx)7GeS5I mixed crystals were grown using the Bridgman - Stockbarger method. The hardness dependences on the indentation depth profiles in (Cu1-xAgx)7GeS5I mixed crystals were investigated. The measurements of mechanical parameters were performed at the room temperature by using the micro-indentation method. Variations of the hardness of (Cu1-xAgx)7GeS5I mixed crystals were interpreted in the framework of the deformation gradient model. The influence of cation <$Eroman {Cu~symbol О~Ag}> substitution on mechanical parameters of (Cu1-xAgx)7GeS5I mixed crystals was studied.
  Повний текст PDF - 575.025 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Bilanych V.
  • Bendak A.
  • Skubenych K.
  • Pogodin A.
  • Bilanych V.
  • Studenyak I.

    • Бібліографічний опис для цитування:

    Bilanych V. V. Studying the mechanical properties of (Cu1-xAgx)7GeS5I mixed crystals by using the micro-indentation method / V. V. Bilanych, A. V. Bendak, K. V. Skubenych, A. I. Pogodin, V. S. Bilanych, I. P. Studenyak // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2018. - Vol. 21, № 3. - С. 273-276. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2018_21_3_10.
      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського