Наукова періодика України | Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics | ||
Lytvyn P. M. Features of mechanical scanning probe lithography on graphene oxide and As(Ge)Se chalcogenide resist / P. M. Lytvyn, S. V. Malyuta, I. Z. Indutnyi, A. A. Efremov, O. V. Slobodyan, V. I. Min’ko, A. N. Nazarov, O. V. Borysov, I. V. Prokopenko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2018. - Vol. 21, № 2. - С. 152-159. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2018_21_2_9 Combined mechanical scanning probe lithography (SPL) approach applied for the direct mask-less modification of graphene oxide (GO) flakes and the mask patterns engraving in layers of chalcogenide resist with a nanometer scale resolution have been implemented in this work. It was compared the dynamics of mechanical modification of chalcogenide films and multilayer GO flakes deposited from an aqueous suspension. The double-layer As Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Lytvyn P. M. Features of mechanical scanning probe lithography on graphene oxide and As(Ge)Se chalcogenide resist / P. M. Lytvyn, S. V. Malyuta, I. Z. Indutnyi, A. A. Efremov, O. V. Slobodyan, V. I. Min’ko, A. N. Nazarov, O. V. Borysov, I. V. Prokopenko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2018. - Vol. 21, № 2. - С. 152-159. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2018_21_2_9.Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |