| Наукова періодика України |
| Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics |
Beketov G. V. Trap-assisted conductivity in anodic oxide on InSb / G. V. Beketov, A. V. Sukach, V. V. Tetyorkin, S. P. Trotsenko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2017. - Vol. 20, № 4. - С. 470-474. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2017_20_4_14 The direct current conductivity of anodic oxide of InSb has been investigated as a function of applied bias and temperature. Proposed in this work is a model of conductivity that includes ohmic, trap-assisted tunneling and Poole - Frenkel conduction processes. Two defect states were found in the energy gap of the anodic oxide, which can be attributed to bulk traps. The asymmetry in the current-voltage characteristics is analyzed in terms of comparative distribution of the applied bias voltage between the anodic oxide and the depletion region in InSb. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Beketov G. V. Trap-assisted conductivity in anodic oxide on InSb / G. V. Beketov, A. V. Sukach, V. V. Tetyorkin, S. P. Trotsenko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2017. - Vol. 20, № 4. - С. 470-474. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2017_20_4_14.Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця" |
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |
|||||
