Наукова періодика України Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics


Eladl Sh. M. 
Modeling of ionizing radiation effect on static and dynamic behavior of vertical cavity surface emitting lasers / Sh. M. Eladl, K. A. Sharshar // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2017. - Vol. 20, № 4. - С. 442-446. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2017_20_4_10
In this work, the effect of ionizing radiation on static and dynamic behavior of Vertical Cavity Surface Emitting Laser (VCSEL) was investigated numerically. First, the model of dynamic behavior before irradiation has been analyzed based on Convolution Theorem. Second, all interesting ionizing radiation sensitive factors are compared with their corresponding post irradiation factors. The convolution theorem is applied to get features of dynamic behavior. All interesting parameters have been outlined. The effect of resonance frequency and damping parameters have been studied. The results show that static and dynamic response of these devices are dramatically deteriorated due to irradiation flux. The device gradually changes its mode of operation from lasing mode to LED mode by exhibiting weak oscillation of the output and fast damping with the increase of ionizing radiation. This type of model can be used for high data bit rate in multimode optical fiber network.
  Повний текст PDF - 184.048 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Eladl S.
  • Sharshar K.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Eladl Sh. M. Modeling of ionizing radiation effect on static and dynamic behavior of vertical cavity surface emitting lasers / Sh. M. Eladl, K. A. Sharshar // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2017. - Vol. 20, № 4. - С. 442-446. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2017_20_4_10.

      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського