Наукова періодика України Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics


Kravets V. G. 
Ellipsometry and optical spectroscopy of low-dimensional family TMDs / V. G. Kravets, V. V. Prorok, L. V. Poperenko, I. A. Shaykevich // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2017. - Vol. 20, № 3. - С. 284-296. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2017_20_3_4
Here, we report a comprehensive study of fundamental optical properties of two-dimensional materials. These properties have been ascertained using spectroscopic ellipsometry, optical spectroscopy of Raman scattering, and photoluminescence. We have focused on optical properties of the chemically exfoliated layered TMDs: MoS2, MoSe2, WS2, and WSe2. The complex refractive index and optical conductivity within the region 1 to 4,5 eV were extracted, which lead to identification of many unique interband transitions at high symmetry points in the electron band structure. The positions of the so-called A and B excitons in monolayers are found to shift upwards in energy as compared with those of the bulk form and have smaller separation because of the decreased interactions between the layers. For monolayer TMDs, the valence-band spin-orbit splitting at the K point was estimated from the energy difference between the A and B exciton peaks. Our findings of the spin-orbit coupling of ~0,16, ~0,26, ~0,37, and ~0,55 eV in monolayers MoS2, MoSe2, WS2, and WSe2, respectively. All these findings not only extend our understanding the novel electronic structures of mono- and few-layers TMDs but also provide foundation for future technological applications of optoelectronic and spintronic device components.
  Повний текст PDF - 452.755 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Kravets V.
  • Prorok V.
  • Poperenko L.
  • Shaykevich I.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Kravets V. G. Ellipsometry and optical spectroscopy of low-dimensional family TMDs / V. G. Kravets, V. V. Prorok, L. V. Poperenko, I. A. Shaykevich // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2017. - Vol. 20, № 3. - С. 284-296. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2017_20_3_4.

      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського