Наукова періодика України | Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics | ||
Vlaskina S. I. Nanograin boundaries and silicon carbide photoluminescence / S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, V. I. Vlaskin, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2017. - Vol. 20, № 3. - С. 344-348. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2017_20_3_13 The luminescence spectra of SiC crystals and films with grain boundaries (GB) on the atomic level were observed. The GB spectra are associated with luminescence centers localized in areas of specific structural abnormalities in the crystal, without no reference to the one-dimensional layer-disordering. The zero-phonon part of GB spectra is always within the same energy range (2,890 - 2,945 eV) and does not fit in the dependence of its position in the energy scale on the percent of hexagonality as in the case of stacking faults (SF Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Vlaskina S. I. Nanograin boundaries and silicon carbide photoluminescence / S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, V. I. Vlaskin, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2017. - Vol. 20, № 3. - С. 344-348. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2017_20_3_13. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |