Наукова періодика України | Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics | ||
Sabov T. M. Oxygen ion-beam modification of vanadium oxide films for reaching a high value of the resistance temperature coefficient / T. M. Sabov, O. S. Oberemok, O. V. Dubikovskyi, V. P. Melnik, V. P. Kladko, B. M. Romanyuk, V. G. Popov, O. Yo. Gudymenko, N. V. Safriuk // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2017. - Vol. 20, № 2. - С. 153-158. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2017_20_2_3 A new method to prepare vanadium oxide with a high temperature coefficient of resistance (TCR) and low resistance for uncooled micro-bolometers has been proposed. Amorphous vanadium oxide films with V Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Sabov T. M. Oxygen ion-beam modification of vanadium oxide films for reaching a high value of the resistance temperature coefficient / T. M. Sabov, O. S. Oberemok, O. V. Dubikovskyi, V. P. Melnik, V. P. Kladko, B. M. Romanyuk, V. G. Popov, O. Yo. Gudymenko, N. V. Safriuk // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2017. - Vol. 20, № 2. - С. 153-158. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2017_20_2_3.Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |