Наукова періодика України | Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics | ||
Iliash S. A. Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films / S. A. Iliash, Yu. V. Hyrka, S. V. Kondratenko, V. S. Lysenko, Yu. M. Kozyrev, V. V. Lendel // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2017. - Vol. 20, № 2. - С. 259-261. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2017_20_2_22 The paper focuses on experimental study of the photovoltage time decay in ITO - Ge - Si heterojunction with Ge nanostructured thin film. Kinetics under 650 nm excitation within the temperature range 80 to 290 K are successfully described by a single exponential function with temperature-dependent decay constants. Photovoltage relaxation is modeled taking into account the hopping nature of electron transport in the band of localized states. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Iliash S. A. Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films / S. A. Iliash, Yu. V. Hyrka, S. V. Kondratenko, V. S. Lysenko, Yu. M. Kozyrev, V. V. Lendel // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2017. - Vol. 20, № 2. - С. 259-261. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2017_20_2_22.Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |