Наукова періодика України Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics

Baranskii P. I. 
Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants / P. I. Baranskii, G. P. Gaidar // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2016. - Vol. 19, № 1. - С. 39-43. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2016_19_1_9
Tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants but under practically equal charge carrier concentrations have been investigated. The features of <$Erho sub X "/" rho sub 0 ~=~f(X)> function, which depend on individual physical-chemical properties of dopants, have been discussed in this paper.
  Повний текст PDF - 176.218 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Baranskii P.
  • Gaidar G.

    • Бібліографічний опис для цитування:

    Baranskii P. I. Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants / P. I. Baranskii, G. P. Gaidar // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2016. - Vol. 19, № 1. - С. 39-43. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2016_19_1_9.
      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського