Peculiarities of photoluminescence spectra behavior in SiC crystals and films during phase transformations

Vlaskina, S. I.; Mishinova, G. N.; Vlaskin, V. I.; Rodionov, V. E.; Svechnikov, G. S.


	Наукова періодика України		Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics

Vlaskina S. I.
Peculiarities of photoluminescence spectra behavior in SiC crystals and films during phase transformations / S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, V. I. Vlaskin, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2016. - Vol. 19, № 1. - С. 62-66. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2016_19_1_14

Peculiarities of photoluminescence spectra behavior in SiC crystals and thin films with in-grown defects during phase transformations have been studied. On the deep-level(DL)-spectra, as an example, their characteristics and behavior were investigated. It has been shown that all DL spectra have the same logic of construction and demonstrate identical behavior of the thin structure elements.

Повний текст PDF - 350.266 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

Vlaskina S. I. Peculiarities of photoluminescence spectra behavior in SiC crystals and films during phase transformations / S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, V. I. Vlaskin, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2016. - Vol. 19, № 1. - С. 62-66. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2016_19_1_14.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача